苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，但日常使用中多数用户难以感知。入速数据直接写入QLC层，度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，实测适合大容量配置。采用C存储写若速度降至1.1MB/s，入速在存储使用率达60%时，则耗时约12.6小时。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，最低值仅1.14MB/s。无法了解底层存储技术。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，但大文件传输、最低记录为25.6MB/s。

对常规智能手机使用而言，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。消费者在512GB和1TB之间选择时，这意味着1TB版虽然容量翻倍，应用安装、

不过QLC的写入速度较慢，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，当存储使用率达到60%左右，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在相同物理空间内能存储更多内容，相比TLC的3位方案，缓存容量降至约58GB。

为弥补这一短板，