散热问题也有了更简单的混合键合凉K海替代方案。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，力士行业分析师指出，急刹三星开发了HPB热通道模块，用不也悬可从堆叠内部带走热量。混合键合凉K海在封装内部加入独立热柱，力士12层产品仍极有可能被用作主流产品。急刹厚度标准松动后，用不也悬JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。然而，力士据报道，急刹这进一步延缓了混合键合的用不也悬规模化部署。不过混合键合的混合键合凉K海研发并未停滞。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士即使到HBM5也可能暂不采用。急刹

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，即使到HBM4E阶段，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。

7月6日消息，有助于减小HBM厚度并改善散热。

SK海力士则推出iHBM技术，将电绝缘、称可较现有产品降低超过30%热阻。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，

而HBM3E标准厚度为720微米，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，无需使用凸点，HBM4已放宽至775微米。短期内混合键合不会大规模部署，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

业内判断，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。